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IPB10N03LB參數：MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
類別：分立半導體產品-FET - 單產品變化通告： ProductDiscontinuation04/Jun/2009標準包裝：1,000系列：OptiMOS™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：50A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：9.6毫歐@50A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@20µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：13nC@5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1639pF@15V功率-最大值：58W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-4，D²Pak（3引線+接片），TO-263AA供應商器件封裝：PG-TO263-3
